متحرک بے ترتیب رسائی میموری (ڈرم) کیا ہے؟ - ٹیکپوپیڈیا سے تعریف

تعریف - متحرک رینڈم ایکسیس میموری (DRAM) کا کیا مطلب ہے؟

متحرک بے ترتیب رسائی میموری (DRAM) ایک قسم کا بے ترتیب رسائی میموری ہے جو کمپیوٹنگ آلات (بنیادی طور پر پی سی) میں استعمال ہوتا ہے۔ DRAM ہر ایک تھوڑا سا ڈیٹا کو ایک الگ غیر فعال الیکٹرانک اجزاء میں محفوظ کرتا ہے جو ایک مربوط سرکٹ بورڈ کے اندر ہوتا ہے۔ ہر الیکٹریکل جزو کی قدر میں دو اور ایک قدر ہوتی ہے جس کو 0 اور 1 کہا جاتا ہے۔ جامد بے ترتیب رسائی میموری (ایس آر اے ایم) کے برعکس DRAM کے پاس ایک کپیسیٹر اور ایک ٹرانجسٹر ہوتا ہے جس میں 6 ٹرانجسٹرس کی ضرورت ہوتی ہے۔ استعمال ہونے والے کیپسیٹرز اور ٹرانجسٹر غیر معمولی طور پر چھوٹے ہیں۔ ایسے لاکھوں کیپسیٹرز اور ٹرانجسٹر ہیں جو ایک ہی میموری چپ پر فٹ ہیں۔

ٹیکوپیڈیا نے متحرک رینڈم ایکسیس میموری (DRAM) کی وضاحت کی

DRAM متحرک میموری ہے اور SRAM مستحکم میموری ہے۔ سرکٹ بورڈ پر موجود DRAM چپس کو ہر چند ملی سیکنڈ میں تروتازہ کرنے کی ضرورت ہے۔ یہ ماڈیول میں ڈیٹا کو دوبارہ لکھ کر کیا جاتا ہے۔ چپس جن کو تازگی کی ضرورت ہوتی ہے وہ مستحکم میموری ہیں۔ DRAM میموری تک براہ راست رسائی حاصل کرتا ہے ، قلیل مدت کے لئے میموری رکھتا ہے اور بجلی بند ہونے پر اس کا ڈیٹا ضائع ہوجاتا ہے۔ ایس آر اے ایم مستحکم میموری ہے جو مستحکم ہے اور اسے تازگی کی ضرورت نہیں ہے۔ چونکہ ایس آر اے ایم بہت تیز ہے ، اس کا استعمال رجسٹر اور کیچ میموری میں ہوتا ہے۔ ایس آر اے ایم ڈیٹا رکھتا ہے اور ڈی آر اے ایم کے مقابلے میں تیز رفتار سے پرفارم کرتا ہے۔ اگرچہ ایس آر اے ایم بہت تیز ہے ، لیکن مدر بورڈ پر زیادہ کثرت سے ڈرم استعمال کیا جاتا ہے کیونکہ اس کی تیاری بہت سستی ہوتی ہے۔

سرکٹ بورڈز کی تین اہم اقسام جن میں میموری چپس ہوتے ہیں وہ ہیں ڈوئل ان لائن میموری میموریڈیول (DIMMs) ، سنگل ان لائن میموری میموریڈیول (SIMMs) اور ریمبس ان لائن میموری میموری (RIMM)۔ آج زیادہ تر مدر بورڈز DIMM استعمال کرتے ہیں۔ DRAM کے لئے ماڈیول ریفریش ریٹ ہر چند ملی سیکنڈ (ایک سیکنڈ کی 1/1000 ویں) ہے۔ یہ تازگی میڈر بورڈ کے چپ سیٹ پر واقع میموری کنٹرولر کے ذریعہ کی جاتی ہے۔ چونکہ ریفریش منطق کا استعمال خود کار طریقے سے ریفریش کے لئے ہوتا ہے ، اس لئے ایک DRAM سرکٹ بورڈ کافی پیچیدہ ہے۔ تروتازہ کرنے کے لئے مختلف سسٹم استعمال کیے جاتے ہیں لیکن صف کو ٹریک رکھنے کے لئے تمام طریقوں کے لئے کاؤنٹر کی ضرورت ہوتی ہے جسے اگلے ہی تازہ دم کرنے کی ضرورت ہے۔ DRAM خلیات کاپسیٹرز کے مربع ذخیرہ میں منظم کیا جاتا ہے ، عام طور پر 1024 از 1024 سیلز۔ جب سیل "پڑھیں" حالت میں ہوتا ہے تو ، ایک پوری قطار کو پڑھ لیا جاتا ہے اور ریفریش واپس لکھی جاتی ہے۔ جب "تحریری" حالت میں ، ایک پوری قطار کو "پڑھ" پڑتا ہے ، تو ایک قدر بدل جاتی ہے ، اور پھر پوری صف کو دوبارہ لکھا جاتا ہے۔ سسٹم پر انحصار کرتے ہوئے ، DRAM چپس موجود ہیں جن میں کاؤنٹر موجود ہوتا ہے جبکہ دوسرے سسٹم ایک پردیی ریفریش منطق پر انحصار کرتے ہیں جس میں کاؤنٹر بھی شامل ہوتا ہے۔ DRAM تک رسائی کا وقت 60 نینو سیکنڈ کے لگ بھگ ہے ، جبکہ ایس آر اے ایم 10 نانو سیکنڈ تک کم ہوسکتا ہے۔ نیز ، DRAM کا سائیکل ٹائم SRAM کے مقابلے میں بہت لمبا ہے۔ ایس آر اے ایم کا سائیکل وقت کم ہے کیونکہ اسے رسوں اور تازگیوں کے درمیان رکنے کی ضرورت نہیں ہے۔